[发明专利]湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法有效
| 申请号: | 201610128624.0 | 申请日: | 2016-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN105742213B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
| 发明(设计)人: | 薛大鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3213 |
| 代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:
金属离子浓度调节装置,用于调节刻蚀液中金属离子的浓度;所述金属离子浓度调节装置包括金属离子提供源,所述金属离子提供源包括金属材料,刻蚀液通过与所述金属材料接触并发生化学反应以调节刻蚀液中金属离子的浓度;
喷淋装置,所述喷淋装置与所述金属离子浓度调节装置相连,所述喷淋装置用于喷洒所述刻蚀液;
控制装置,所述控制装置用于控制所述金属离子浓度调节装置调节刻蚀液中金属离子的浓度,使刻蚀液中金属离子的浓度达到预设值,而后将调节后的刻蚀液通过所述喷淋装置喷洒至待刻蚀金属上。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述金属材料呈粉末状或颗粒状,所述金属离子提供源还包括用于盛放所述金属材料的承载容器。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述金属材料呈薄膜状,所述金属离子提供源还包括用于承载所述金属材料的承载基板。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述金属离子浓度调节装置包括至少一路调节支路,每一路调节支路均设有所述金属离子提供源以及用于控制自身通断的第一阀门。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述金属离子浓度调节装置包括多路所述调节支路。
6.根据权利要求4所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,还包括储液罐、刻蚀液回收装置以及刻蚀支路:
所述储液罐用于存储刻蚀液,包括用于输入刻蚀液的输入口以及用于输出刻蚀液的输出口;
所述刻蚀液回收装置与所述储液罐的输入口相连,所述刻蚀液回收装置用于将所述喷淋装置喷洒的刻蚀液回收至所述储液罐;
所述刻蚀支路的输入口、所述调节支路的输入口与所述储液罐的输出口相连,所述刻蚀支路的输出口、所述调节支路的输出口与所述喷淋装置相连,所述刻蚀支路上还设置有在对待刻蚀金属进行刻蚀时用于调节刻蚀液流量的第二阀门。
7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀液回收装置包括刻蚀腔室以及将所述刻蚀腔室与所述储液罐的输入口相连的回流管路,所述喷淋装置设置在所述刻蚀腔室内。
8.根据权利要求1-7任一所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,还包括用于对输入所述喷淋装置的刻蚀液进行过滤的过滤器。
9.根据权利要求1-7任一所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,还包括用于检测刻蚀液中金属离子浓度的金属离子浓度检测装置。
10.一种湿法刻蚀方法,其特征在于,包括:
刻蚀液通过与金属材料接触并发生化学反应以调节刻蚀液中金属离子的浓度,使得待刻蚀金属的刻蚀速率保持稳定;
检测所述调节后的刻蚀液中所述金属离子的浓度,若所述调节后的刻蚀液中所述金属离子的浓度达到预设值,则将所述调节后的刻蚀液喷洒至所述待刻蚀金属上。
11.根据权利要求10所述的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述金属离子为Cu离子,所述预设值大于或等于300ppm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





