[发明专利]一种自旋转移矩磁存储单元有效
| 申请号： | 201610124480.1 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105702853B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王乐知;张博宇;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种自旋转移矩磁存储单元，其特征是该磁存储单元的磁隧道结基于垂直磁各向异性(PMA)，在经典磁隧道结即自由层、参考层和隧穿势垒层的三层结构基础上，添加了一层缓冲层，一层顶部磁性层及一层顶部非磁性层。该磁存储单元的磁隧道结从下到上由参考层、隧穿势垒层、自由层、缓冲层、顶部磁性层及顶部非磁性层构成。本发明提供的新型磁隧道结将在有效提高数据存储热稳定性的同时保持翻转电流在较低水平。对提高磁存储单元稳定性，降低存储功耗，延长存储单元读写寿命作用明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 转移 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种自旋转移矩磁存储单元，该磁存储单元的磁隧道结基于垂直磁各向异性PMA，在现有磁隧道结自由层、参考层和隧穿势垒层的三层结构基础上，添加了一层缓冲层，一层顶部磁性层及一层顶部非磁性层，其特征在于：该磁存储单元的磁隧道结从下到上由参考层、隧穿势垒层、自由层、缓冲层、顶部磁性层及顶部非磁性层构成；其中，参考层组成材料为半金属磁性材料，厚度区间为0.1‑5纳米；其中，自由层组成材料为半金属磁性材料，厚度区间为0.1‑5纳米；其中，顶部磁性层组成材料为半金属磁性材料，厚度区间为0.1‑5纳米；所述半金属磁性材料包括各类赫斯勒Heusler合金，形式为XYZ或X2YZ。
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