[发明专利]集成功率MOSFET的锂电池保护芯片及采用该芯片的充电电路在审

专利信息
申请号: 201610124057.1 申请日: 2016-03-04
公开(公告)号: CN105553052A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 刘陵刚;申旭 申请(专利权)人: 深圳卓锐思创科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京奥翔领智专利代理有限公司 11518 代理人: 路远
地址: 518131 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种集成功率MOSFET的锂电池保护芯片,其具有六个引脚:正电源输入端VDD、负电源输入端VSS(GND)、过电流检测输入端/充电器检测端CS、电池芯负极端S1、充电负极端S2、功率MOSFET漏极公共端D;该芯片包括:逻辑控制器、过充电流比较器、过放电压比较器、过充电压比较器、短路比较器、第一过放电流比较器、第二过放电流比较器、电源复位模块、振荡器模块、带隙基准电路、分压器、放电过流检测模块、充电控制用MOSFET以及放电控制用MOSFET。本发明的芯片具有过充、过放、过流以及短路等保护功能,工作功耗非常低。并且,大幅减小了芯片的PCB面积,非常适合应用于对空间限制非常小的一切需要可充电的锂电池长时间供电的各种信息产品的场合。而且,该芯片采用DFN-5L的小型化封装形式,进一步降低芯片面积,从而降低芯片成本。
搜索关键词: 集成 功率 mosfet 锂电池 保护 芯片 采用 充电 电路
【主权项】:
一种集成功率MOSFET的锂电池保护芯片,其特征在于:所述集成功率MOSFET的锂电池保护芯片具有六个引脚,分别为:正电源输入端VDD、负电源输入端VSS(GND)、过电流检测输入端/充电器检测端CS、电池芯负极端S1、充电负极端S2、功率MOSFET漏极公共端D;其中,该集成功率MOSFET的锂电池保护芯片包括:逻辑控制器、过充电流比较器、过放电压比较器、过充电压比较器、短路比较器、第一过放电流比较器、第二过放电流比较器、电源复位模块、振荡器模块、带隙基准电路、分压器、放电过流检测模块、充电控制用MOSFET以及放电控制用MOSFET。
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