[发明专利]一种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法，所述的氧化镓晶体包括氧化镓和掺入在氧化镓中的Ge4+，其掺杂浓度优选为0.1～10mol％；上述的氧化镓晶体由导模法制备而成。与现有技术相比，本发明掺锗氧化镓晶体具有较好的热释光性能，Ge4+掺杂浓度可控；通过采用Ar和CO2混合气氛并结合分不同阶段充入Ar气和CO2气体，有效抑制了生长过程中氧化镓晶体的分解挥发，晶体生长周期短，成本低等。

主权项

1.一种具有热释光性能的氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，所述的氧化镓晶体包括氧化镓和掺入在氧化镓中的Ge4+；所述的Ge4+在氧化镓晶体中的掺杂浓度为0.1～10mol％；所述的制备方法包括以下步骤：(1)将氧化镓与提供Ge4+的原料混合均匀，成型，烧结，得到多晶陶瓷原料；(2)将多晶陶瓷原料放入生长炉内的坩埚中，籽晶放入籽晶夹具内，生长方向平行于(100)解理面；(3)将生长炉抽低真空后，充入Ar气，加热后恒温，再充入CO2气体，继续升温，使多晶陶瓷原料完全熔化并沿模具狭缝上升至模具顶端，恒温；(4)将籽晶浸入模具上端熔体，待籽晶与熔体充分熔接后，依次进行引晶缩颈、放肩、等径生长的晶体生长过程；(5)晶体生长结束后，脱模、退火冷却，即得到目的产物；步骤(1)中烧结的工艺条件为：空气气氛下，1400～1500℃恒温12～18h。