[发明专利]一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610119256.3 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105908132B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;郭华飞;袁宁一;张克智;李燕 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特指一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料及其制备方法。采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制备CZTi前驱体薄膜；将得到的CZT前躯体薄膜在510℃温度下的H2S气氛中保温2个小时，即制备得到Cu2ZnTiS4半导体薄膜。采用本方法制备得到的Cu2ZnTiS4半导体薄膜是一种厚度为200‑2000nm，光学吸收系数为104cm‑1，载流子类型为P型的，具有延展性的半导体薄膜材料，对于实现薄膜材料完全柔性化具有十分重要的科学意义和工程价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 cu sub zntis 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料的制备方法，所述半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料的厚度仅为200‑2000nm，吸收系数为104cm‑1，是一种P型半导体薄膜料，是一种具有延展性的半导体薄膜料，其特征在于：采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制备CZTi前驱体薄膜；将得到的CZTi前驱体薄膜在510℃温度下的H2S气氛中保温2个小时，即制备得到Cu2ZnTiS4半导体薄膜。
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