[发明专利]一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610119256.3 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105908132B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;郭华飞;袁宁一;张克智;李燕 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 cu sub zntis 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料的制备方法，所述半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料的厚度仅为200-2000nm，吸收系数为104cm-1，是一种P型半导体薄膜料，是一种具有延展性的半导体薄膜料，其特征在于：采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制备CZTi前驱体薄膜；将得到的CZTi前驱体薄膜在510℃温度下的H2S气氛中保温2个小时，即制备得到Cu2ZnTiS4半导体薄膜。
2.如权利要求1所述的一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的钠钙玻璃依次用碱性溶液，丙酮，乙醇和去离子水超声清洗，干燥后作为溅射衬底。
3.如权利要求1所述的一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的三靶共溅Cu、Zn、Ti制备前躯体薄膜是将清洗后的钠钙玻璃放入高真空三靶磁控溅射腔体，以Cu、Zn、Ti作为溅射靶材，Cu与Ti采用直流电源，溅射功率分别为10w与42w，Zn采用射频电源，溅射功率为60w，工作压强0.5-1.2Pa，工作气体采用的为体积浓度为99.999％的氩气，控制溅射时间，得到不同厚度的CZTi前驱体薄膜。
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