[发明专利]一种蓝宝石图形衬底掩膜版的图形结构和曝光方法有效
申请号: | 201610113391.7 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN107132726B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 章磊 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/90 | 分类号: | G03F1/90 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种蓝宝石图形衬底掩膜版的图形结构和曝光方法,掩膜版上包括透光区和若干处不透光区,图形结构由若干个相同的多边形拼接而成,多边形具有至少2个扇形不透光区域及一个透光区域,拼接方式为将多个多边形的扇形不透光区域拼接,形成圆形不透光区,掩膜版的边界上未形成完整的多边形的区域皆为不透光区。本发明中透光区域由上述多边形拼接形成,其余皆为不透光区域,这样拼接保证靠近该侧边的圆形不透光区域不会受到光照的干扰,在曝光另一个相同的掩膜版时,只需与第一个掩膜版侧边相拼接,将侧边处的图案曝光出来,从而这种掩膜版图形结构和曝光方法解决了不透光图形区域与掩膜版边界距离过小而导致曝光不清晰的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 图形 衬底 掩膜版 结构 曝光 方法 | ||
【主权项】:
1.一种蓝宝石图形衬底掩膜版的图形结构,包括透光区和若干处不透光区,其特征在于,所述图形结构由若干个相同的多边形拼接而成,所述多边形具有至少2个扇形不透光区域及一个透光区域,拼接方式为将多个所述多边形的所述扇形不透光区域拼接,形成圆形不透光区,所述多边形为轴对称图形,所述多边形的所有扇形不透光区域对应圆弧的半径相等,且所述多边形上所有圆弧所对应的圆心角之和为180°,靠近侧边的圆形不透光区域与侧边之间的透光区域不足以拼凑成一个完整的多边形,所述掩膜版的边界上未形成完整的多边形的区域皆为不透光区。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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