[发明专利]应用于异面电极激光器芯片的封装结构

摘要

本发明公开了一种针对异面电极激光器芯片的封装结构，包括一上介质基板，一下介质基板和一导通柱阵列。利用上下两个介质基板形成一个“三明治”的结构将激光器芯片的异面电极转为共面电极，以实现与外部射频电路的连接。相比于利用金丝转异面电极为共面电极的传统方法，本发明提出的封装结构避免了金丝的使用，减小了由金丝所引入的寄生参数对器件性能的影响，适用于单通道和多通道集成芯片的封装。

主权项

1.一种应用于异面电极激光器芯片的封装结构，包括：一上介质基板(1)，主要起支撑表面电极作用；表面采用薄膜工艺蒸镀一定厚度的电极作为上介质基板地平面(2)；一下介质基板(5)，主要起支撑表面电极和激光器芯片作用；表面采用薄膜工艺蒸镀一定厚度的共面波导电极(3)，包括第一地电极(G)，信号电极(S)，第二地电极(G)；一导通柱阵列(4)，其主要起连接上介质基板地平面(2)和下介质基板地电极(G)的作用，同时也起支撑上介质基板(1)作用，该导通柱阵列(4)与上介质基板(1)表面地平面(2)，与下介质基板(1)地电极的电连接良好以保证阻抗的连续性；且导通柱阵列(4)的直径与间隔由特定公式决定以降低谐振对器件性能的影响，该特定公式为：H＝1/8*λ，其中，H为导通柱间隔，λ为电磁波波长；电极材料和导通柱阵列(4)的材料相同。