[发明专利]应用于异面电极激光器芯片的封装结构

权利要求书

1.一种应用于异面电极激光器芯片的封装结构，包括：

一上介质基板(1)，主要起支撑表面电极作用；表面采用薄膜工艺蒸镀一定厚度的电极作为上介质基板地平面(2)；

一下介质基板(5)，主要起支撑表面电极和激光器芯片作用；表面采用薄膜工艺蒸镀一定厚度的共面波导电极(3)，包括第一地电极(G)，信号电极(S)，第二地电极(G)；

一导通柱阵列(4)，其主要起连接上介质基板地平面(2)和下介质基板地电极(G)的作用，同时也起支撑上介质基板(1)作用，该导通柱阵列(4)与上介质基板(1)表面地平面(2)，与下介质基板(1)地电极的电连接良好以保证阻抗的连续性；且导通柱阵列(4)的直径与间隔由特定公式决定以降低谐振对器件性能的影响，该特定公式为：

H＝1/8*λ，

其中，H为导通柱间隔，λ为电磁波波长；

电极材料和导通柱阵列(4)的材料相同。

2.根据权利要求1所述的应用于异面电极激光器芯片的封装结构，其中上介质基板(1)和下介质基板(5)的材料相同，由氮化铝材料、三氧化二铝、氧化铍或碳化硅材料制成，电极材料和导通柱阵列(4)的材料为金。

3.根据权利要求1所述的应用于异面电极激光器芯片的封装结构，其中导通柱阵列(4)的直径D为0.2mm。

4.根据权利要求1所述的应用于异面电极激光器芯片的封装结构，其特征在于，共面波导电极的信号电极(S)的宽度W，地电极(G)与信号电极(S)之间的间距L由共面波导传输线的特征阻抗决定，

特征阻抗

其中，εr为介质基板的介电常数，w为信号电极的宽度，L为地电极与信号电极之间的间距。

5.如权利要求1-4任一所述的应用于异面电极激光器芯片的封装结构的制备方法，包括如下步骤：

首先，激光器芯片(8)倒装贴在下介质基板(5)上，激光器芯片P极(7)用焊锡焊在共面波导信号电极(6)上；

然后，将上介质基板(1)盖在激光器芯片N极(10)上，用焊锡将地平面(2)与激光器芯片N极(10)连接；

最后，用导通柱阵列(4)通过焊锡连接地平面(2)和共面波导地电极(3)。