[发明专利]g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610110551.2 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105688970B 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 汤琳;王佳佳;邓垚成;曾光明;刘雅妮;方伟;彭博;朱超 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;C02F1/30;C02F101/38
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 代理人: 赵洪,黄艺平
地址: 410082 湖南省长沙市河西岳*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂及其制备方法和应用,属于功能材料技术领域。其中g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂以g‑C3N4为载体,g‑C3N4载体上修饰有Bi2WO6纳米片,Bi2WO6纳米片表面生长有铋金属粒子。其制备方法,包括将g‑C3N4加入到Bi(NO3)3·5H2O溶液中,得到悬浮液;将Na2WO4·2H2O溶液加入到上述的悬浮液中,得到混合液;上述混合液进行水热反应后,得到g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂。本发明的g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂能够用于降解废水中的染料,光催化活性高、稳定、耐腐蚀。
搜索关键词: sub 修饰 掺杂 bi wo 复合 光催化剂 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂,其特征在于,所述g‑C3N4修饰的自掺杂Bi2WO6复合光催化剂以g‑C3N4为载体,所述g‑C3N4载体上修饰有自掺杂Bi2WO6,所述自掺杂Bi2WO6包括Bi2WO6纳米片和铋金属粒子,所述铋金属粒子生长在Bi2WO6纳米片表面。
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