[发明专利]改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法有效
| 申请号： | 201610107752.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105575872B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王福喜;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升;昂开渠 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法，本发明通过所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm，增加静电吸附盘的铝基座的间隙尺寸，其作用有两个：一是保证树脂保护环膜厚的均匀性及批次之间膜厚工艺重复性；二是增加靠近等离子体方向树脂保护环膜厚(厚度增倍)，改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，从而提高静电吸附盘部件寿命；另外，通过铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm，较小的倒角半径可以使得等离子体难于接触到树脂保护环，减少树脂保护环被侵蚀速度，帮助提高静电吸附盘部件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 静电 吸附 树脂 保护环 损伤 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，包括：介质表面及电极主体，铝基座，及设置于所述介质表面及电极主体和所述铝基座之间的树脂保护环，其中，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内的所述树脂保护环的膜厚为0.13mm～0.17mm，所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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