[发明专利]改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法有效
| 申请号： | 201610107752.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105575872B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王福喜;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升;昂开渠 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 静电 吸附 树脂 保护环 损伤 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，包括：
介质表面及电极主体，铝基座，及设置于所述介质表面及电极主体和所述铝基座之间的树脂保护环，其中，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内的所述树脂保护环的膜厚为0.13mm～0.17mm，所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。
2.如权利要求1所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内的所述树脂保护环的膜厚为0.15mm。
3.如权利要求1所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。
4.一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，包括：
设置铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm；
设置所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm；
在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环，所述树脂保护环的膜厚为0.13mm～0.17mm。
5.如权利要求4所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，所述间隙距离为0.15mm。
6.如权利要求4所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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