[发明专利]一种基于离子束技术的新型电子烟雾化器装置中导电层的制造方法和设备有效
申请号: | 201610105818.9 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105755434B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 廖斌;欧阳晓平;罗军;张旭;吴先映;王宇东 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于离子束技术的新型电子烟雾化装置导电层的制造方法及设备。制备该电子烟雾化装置导电层的制备方法包括:以多孔氮化铝陶瓷为基体,采用磁过滤金属阴极真空弧(FCVA)技术,在基体表面沉积第一层金属氮化物导电层;在所述的第一层之上,采用FCVA方法沉积得到第二层金属层;在所述的第二层金属层之上,采用FCVA沉积方法沉积得到第三层导电金属氮化物层,三层复合膜总厚度为1‑10微米,电阻为1‑10欧姆。通过实施本发明,能够制造出新型的且寿命长的电子烟雾化器装置。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 离子束 技术 新型 电子 烟雾 装置 导电 制造 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法,其特征在于,包括:a)电子烟雾化器基底材料为多孔陶瓷材料;b)采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法,沉积得到用于隔绝氧的第一层金属氮化物阻挡层,该层金属氮化物可为TiN,CrN,ZrN或NiN;沉积条件为:沉积真空度1×10‑3~6×10‑3Pa,沉积弧流100~120A,磁场电流1.4‑2.4A;c)在金属氮化物阻挡层之上,采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法,沉积得到金属层,该金属层元素可为Ti,Cr,Zr或Ni;沉积条件为:沉积真空度1×10‑3~6×10‑3Pa,沉积弧流100~120A,磁场电流2.4‑4.5A;d)在金属层之上,采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法,沉积得到覆盖层金属氮化物,该层金属氮化物可为TiN,CrN,ZrN或NiN,沉积条件为:沉积真空度1×10‑3~6×10‑3Pa,沉积弧流:100~120A,磁场电流:1.4‑2.4A;e)沉积得到厚度范围在1‑10μm的金属氮化物/金属/金属氮化物复合膜。
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