[发明专利]一种基于离子束技术的新型电子烟雾化器装置中导电层的制造方法和设备

权利要求书

1.一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法，其特征在于，包括：

a)电子烟雾化器基底材料为多孔陶瓷材料；

b)采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法，沉积得到用于隔绝氧的第一层金属氮化物阻挡层，该层金属氮化物可为TiN，CrN，ZrN或NiN；沉积条件为：沉积真空度1×10^-3～6×10^-3Pa，沉积弧流100～120A，磁场电流1.4-2.4A；

c)在金属氮化物阻挡层之上，采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法，沉积得到金属层，该金属层元素可为Ti，Cr，Zr或Ni；沉积条件为：沉积真空度1×10^-3～6×10^-3Pa，沉积弧流100～120A，磁场电流2.4-4.5A；

d)在金属层之上，采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法，沉积得到覆盖层金属氮化物，该层金属氮化物可为TiN，CrN，ZrN或NiN，沉积条件为：沉积真空度1×10^-3～6×10^-3Pa，沉积弧流：100～120A，磁场电流：1.4-2.4A；

e)沉积得到厚度范围在1-10μm的金属氮化物/金属/金属氮化物复合膜。

2.根据权利要求1的一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法，其特征在于：基底层为多孔氮化铝陶瓷。

3.根据权利要求1的一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法，其特征在于：

(a)在沉积第一层金属氮化物阻挡层时，采用的靶材为金属阴极，金属元素可为Ti，Cr，Zr或Ni，起弧电流90-120A，弯管磁场2.0-4.0A，束流50-200mA，沉积时采用负压-800V、-600V、-400V及-300V进行沉积，占空比50％～100％，氮气进气量为10-50sccm，沉积时间3～60秒；

(b)在沉积金属导电层时，采用的靶材为金属阴极，金属元素可为Ti，Cr，Zr或Ni，起弧电流90～120A，弯管磁场2.0-4.0A，占空比为20～100％，进气量为10-50sccm，束流80～140mA，负偏压：-100V-300V；

(c)在沉积覆盖层金属氮化物时，采用的靶材为金属阴极，金属元素可为Ti，Cr，Zr或Ni，起弧电流90～120A，弯管磁场2.0-4.0，占空比为20～100％，氮气进气量为10～50sccm，束流80-140mA，负偏压-200V～-600V。

4.根据权利要求3的一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法，其特征在于，第一层金属氮化物阻挡层的厚度为10-500nm，金属膜的厚度为1-9μm，覆盖层金属氮化物的厚度为10-500nm，烟雾化器装置中导电层总厚度在1-10μm。

5.根据权利要求1一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法，其设备特征在于，包括：

沉积装置，配置为磁过滤阴极真空弧(FCVA)系统，利用单管90度和直管磁过滤沉积方式，该沉积装置包括：

第一沉积装置，用于利用所述90度FCVA系统，在所述多孔陶瓷表面，磁过滤沉积出金属氮化物阻挡层；其中，该层金属氮化物覆盖层的金属元素为Ti，Cr，Zr或Ni，厚度为10～500nm；

第二沉积装置，用于利用所述直管FCVA系统，在金属阻挡层表面，磁过滤沉积得到金属层；其中，该层金属层的厚度为1-9μm，金属元素为Ti，Cr，Zr或Ni；

第三沉积装置，用于利用90度FCVA系统，在金属层表面，磁过滤沉积得到金属氮化物隔氧层，其中，该层金属氮化物膜层的厚度为10～500nm，金属氮化物隔氧层的金属元素为Ti，Cr，Zr或Ni，厚度为10～500nm。

6.一种利用如权利要求1～5任一项所述的一种基于离子束电子烟雾化器装置中导电层的制备的方法在陶瓷基体表面沉积的导电层。