[发明专利]一种CF4等离子体氟化绝缘子的方法在审
| 申请号： | 201610101980.3 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105761857A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张冠军;陈思乐;常正实;李平;许桂敏;姚聪伟 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01B19/04 | 分类号： | H01B19/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于高电压与绝缘技术领域，具体涉及一种CF4等离子体氟化绝缘子的方法，该方法是将绝缘子放置于反应腔体中，通入CF4气体与惰性气体的混合物，在室温及0.01～0.1atm的低气压下，通过放电等离子体处理2～30min，使得CF4气体与绝缘子表面发生反应形成氟化层。本发明的特点是：采用在CF4气体中等离子体处理的方法对绝缘子表面进行氟化，改善了绝缘子的沿面闪络特性，提高了绝缘子的耐电强度，其闪络电压最高可以提高约50％，同时改善了绝缘子表面疏水和疏油的性质，提高了绝缘子防湿闪和污闪的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cf sub 等离子体 氟化 绝缘子 方法 | ||
【主权项】：
一种CF4等离子体氟化绝缘子的方法，其特征在于，包括以下步骤：将绝缘子放置于反应腔体中，通入CF4气体与惰性气体的混合物，在室温及0.01～0.1atm的低气压下，通过放电等离子体处理2～30min，使得CF4气体与绝缘子表面发生反应形成氟化层。
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