[发明专利]氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管有效
| 申请号： | 201610099816.3 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107104176B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;黄健 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管，方法包括：在氮化镓基底上形成介质层；在所述介质层中形成阴极金属，所述阴极金属接触所述氮化镓基底；在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板，所述阳极金属和所述金属场板均接触所述氮化镓基底，在所述介质层上形成未与所述金属场板连接的金属互连层，且所述金属互连层分别与所述阴极金属和所述阳极金属连接。根据本发明，能够提高氮化镓二极管的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓二极管的制作方法，其特征在于，包括：在氮化镓基底上形成介质层；在所述介质层中形成阴极金属，所述阴极金属接触所述氮化镓基底；在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板，所述阳极金属和所述金属场板均接触所述氮化镓基底；在所述介质层上形成未与所述金属场板连接的金属互连层，且所述金属互连层分别与所述阴极金属和所述阳极金属连接；在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板包括：在所述介质层中同时形成阳极接触孔和环形的金属场板接触孔，露出所述氮化镓基底；在所述阳极接触孔和金属场板接触孔中同时填充金属，分别形成阳极金属和环形的所述金属场板；在所述氮化镓基底上形成介质层包括：在所述氮化镓基底上形成钝化层；在所述钝化层上形成氧化层；所述在所述介质层中同时形成阳极接触孔和环形的金属场板接触孔包括：同时刻蚀所述氧化层露出所述钝化层，在所述氧化层中分别形成第一阳极孔和环形的第一场板孔；同时刻蚀所述钝化层露出所述氮化镓基底，在所述钝化层中分别形成第二阳极孔和环形的第二场板孔，所述第二阳极孔的宽度小于所述第一阳极孔，所述第二场板孔的宽度小于所述第一场板孔。
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