[发明专利]氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管

权利要求书

1.一种氮化镓二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在氮化镓基底上形成介质层；

在所述介质层中形成阴极金属，所述阴极金属接触所述氮化镓基底；

在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板，所述阳极金属和所述金属场板均接触所述氮化镓基底；

在所述介质层上形成未与所述金属场板连接的金属互连层，且所述金属互连层分别与所述阴极金属和所述阳极金属连接；

在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板包括：

在所述介质层中同时形成阳极接触孔和环形的金属场板接触孔，露出所述氮化镓基底；

在所述阳极接触孔和金属场板接触孔中同时填充金属，分别形成阳极金属和环形的所述金属场板；

在所述氮化镓基底上形成介质层包括：

在所述氮化镓基底上形成钝化层；

在所述钝化层上形成氧化层；

所述在所述介质层中同时形成阳极接触孔和环形的金属场板接触孔包括：

同时刻蚀所述氧化层露出所述钝化层，在所述氧化层中分别形成第一阳极孔和环形的第一场板孔；

同时刻蚀所述钝化层露出所述氮化镓基底，在所述钝化层中分别形成第二阳极孔和环形的第二场板孔，所述第二阳极孔的宽度小于所述第一阳极孔，所述第二场板孔的宽度小于所述第一场板孔。

2.根据权利要求1中任一项所述的氮化镓二极管的制作方法，其特征在于，所述金属场板包括自下而上依次形成的TiN层、Ti层、Al层、Ti层和TiN层。

3.一种氮化镓二极管，其特征在于，包括：

氮化镓基底；

介质层，形成于所述氮化镓基底上；

阴极金属，位于所述介质层中且所述阴极金属接触所述氮化镓基底；

阳极金属，位于所述介质层中且所述阳极金属接触所述氮化镓基底；

金属场板，位于所述阴极金属和所述阳极金属之间的介质层中，且所述金属场板接触所述氮化镓基底；

未与所述金属场板连接的金属互连层，位于所述介质层上，且所述金属互连层分别与所述阴极金属和所述阳极金属连接；

所述金属场板呈环形；

所述介质层包括自下而上依次形成的钝化层和氧化层；

所述金属场板包括环形的第一场板部件和环形的第二场板部件，所述第一场板部件位于所述氧化层中，所述第二场板部件位于所述钝化层中，所述第一场板部件的宽度大于所述第二场板部件的宽度。

4.根据权利要求3中任一项所述的氮化镓二极管，其特征在于，所述金属场板包括自下而上依次形成的Ti层、Al层、Ti层和TiN层。