[发明专利]场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，制备方法包括：在衬底上依次形成氧化层和图形化的氮化硅层；对衬底进行热氧化处理；依次对图形化的氮化硅层和场氧化层进行刻蚀至暴露出衬底的指定区域为止；在指定区域上形成栅氧化层；形成图形化的掩膜复合层；在形成掩膜复合层的衬底上形成第一离子掺杂区；在形成第一离子掺杂区的衬底上形成氮化硅介质层，并依次进行氧化硅层的淀积处理和刻蚀处理；在形成侧墙结构的衬底上，形成第二离子掺杂区；在形成第二离子掺杂区后，刻蚀氮化硅介质层和栅氧化层；在暴露出第二离子掺杂区的衬底上形成金属电极。通过本发明技术方案，避免了接触孔套刻，提升了器件可靠性。

主权项

一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成氧化层和图形化的氮化硅层；以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，对所述衬底进行热氧化处理，以形成场氧化层；依次对所述图形化的氮化硅层和所述场氧化层进行刻蚀至暴露出所述衬底的指定区域为止；在所述指定区域上形成栅氧化层；在形成所述栅氧化层的衬底上形成图形化的掩膜复合层；在形成所述掩膜复合层的衬底上形成第一离子掺杂区；在形成所述第一离子掺杂区的衬底上形成氮化硅介质层，并依次进行氧化硅层的淀积处理和刻蚀处理，以形成所述掩膜复合层的侧墙结构；在形成所述侧墙结构的衬底上，形成第二离子掺杂区；在形成所述第二离子掺杂区后，刻蚀所述氮化硅介质层和所述栅氧化层，以暴露出所述第二离子掺杂区；在暴露出所述第二离子掺杂区的衬底上形成金属电极。