[发明专利]场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成氧化层和图形化的氮化硅层；

以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，对所述衬底进行热氧化处理，以形成场氧化层；

依次对所述图形化的氮化硅层和所述场氧化层进行刻蚀至暴露出所述衬底的指定区域为止；

在所述指定区域上形成栅氧化层；

在形成所述栅氧化层的衬底上形成图形化的掩膜复合层；

在形成所述掩膜复合层的衬底上形成第一离子掺杂区；

在形成所述第一离子掺杂区的衬底上形成氮化硅介质层，并依次进行氧化硅层的淀积处理和刻蚀处理，以形成所述掩膜复合层的侧墙结构；

在形成所述侧墙结构的衬底上，形成第二离子掺杂区；

在形成所述第二离子掺杂区后，刻蚀所述氮化硅介质层和所述栅氧化层，以暴露出所述第二离子掺杂区；

在暴露出所述第二离子掺杂区的衬底上形成金属电极，使得不必采用接触孔套刻工艺形成金属电极；

其中，在形成所述栅氧化层的衬底上形成图形化的掩膜复合层包括：形成多晶硅层，在多晶硅层上形成氧化硅介质层。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在衬底上依次形成氧化层和图形化的氮化硅层，具体包括以下步骤：

以温度范围为900℃至1200℃的热氧化工艺在所述衬底上形成所述氧化层；

以温度范围为600℃至900℃的化学气相淀积工艺在所述氧化层上形成所述氮化硅层；

通过干法刻蚀工艺依次对所述氮化硅进行刻蚀，以形成图形化的氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，对所述衬底进行热氧化处理，以形成场氧化层，具体还包括以下步骤：

以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，以温度范围为900℃至1200℃的热氧化工艺对所述衬底进行热氧化处理，以形成所述场氧化层。

4.根据权利要求3所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在所述指定区域上形成栅氧化层，具体包括以下步骤：

以温度范围为900℃至1200℃的热氧化工艺在所述指定区域上形成栅氧化层。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述栅氧化层的衬底上形成图形化的掩膜复合层，具体包括以下步骤：

以温度范围为500℃至800℃的化学气相淀积工艺形成多晶硅层；

通过化学气相淀积工艺在所述多晶硅层上形成氧化硅介质层；

依次对所述氧化硅介质层和所述多晶硅层进行干法刻蚀，以形成所述掩膜复合层。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述掩膜复合层的衬底上形成第一离子掺杂区，具体包括以下步骤：

N型掺杂的离子的注入剂量范围为1.0E12/cm2至1.0E14/cm2，注入能量范围40keV至150keV，在注入窗口中形成所述第一离子掺杂区。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第一离子掺杂区的衬底上形成氮化硅介质层，并依次进行氧化硅层的淀积处理和刻蚀处理，以形成所述掩膜复合层的侧墙结构，具体包括以下步骤：

以温度范围为600℃至900℃的化学气相淀积工艺在形成所述第一离子掺杂区的衬底上形成氮化硅介质层；

在形成所述氮化硅介质层的衬底上形成氧化硅层，并进行反刻处理，以形成所述掩膜复合层的侧墙结构。

8.根据权利要求7所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述侧墙结构的衬底上，形成第二离子掺杂区，具体包括以下步骤：

N型掺杂的离子的注入剂量范围为1.0E14/cm2至1.0E16/cm2，注入能量范围40keV至150keV，在注入窗口中形成所述第二离子掺杂区。