[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610094545.2 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107104144B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括：衬底结构；突出于衬底结构的一个或多个鳍片，每个鳍片包括至少在鳍片顶部的锗层；包绕在锗层上的伪栅极结构，伪栅极结构包括：伪栅极绝缘物、伪栅极和硬掩模；以及分别位于伪栅极结构的两侧的间隔物；在衬底结构上形成层间电介质层以覆盖伪栅极结构；在形成层间电介质层之后进行平坦化，以使得伪栅极的上表面露出；去除伪栅极和伪栅极绝缘物以露出其下的锗层的表面；对锗层的露出表面执行硅烷浸透处理，以对锗层的所述露出表面引入硅；对引入了硅的锗层的露出表面执行第一氧化处理，以在锗层的表面形成氧化物层，氧化物层包含硅元素和锗元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括：/n衬底结构，所述衬底结构包括衬底；/n突出于所述衬底结构的一个或多个鳍片，所述一个或多个鳍片每个包括至少在鳍片顶部的锗层；/n包绕在所述锗层上的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：包绕在所述锗层上的伪栅极绝缘物、所述伪栅极绝缘物上的伪栅极、以及在伪栅极上的硬掩模；以及/n分别位于所述伪栅极结构的源极侧和漏极侧的间隔物，所述间隔物覆盖所述锗层的其余部分；/n在所述衬底结构上形成层间电介质层以覆盖所述伪栅极结构；/n在形成层间电介质层之后进行平坦化，以使得所述伪栅极的上表面露出；/n去除所述伪栅极和所述伪栅极绝缘物以露出其下的锗层的表面；/n对所述锗层的露出表面执行硅烷浸透处理，以对所述锗层的所述露出表面引入硅；/n对引入了硅的所述锗层的所述露出表面执行第一氧化处理，以在所述锗层的表面形成氧化物层，所述氧化物层包含硅元素和锗元素；以及/n对所述氧化物层执行氮化处理，以形成含氮的氧化物层。/n
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