[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：

衬底结构，所述衬底结构包括衬底；

突出于所述衬底结构的一个或多个鳍片，所述一个或多个鳍片每个包括至少在鳍片顶部的锗层；

包绕在所述锗层上的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：包绕在所述锗层上的伪栅极绝缘物、所述伪栅极绝缘物上的伪栅极、以及在伪栅极上的硬掩模；以及

分别位于所述伪栅极结构的源极侧和漏极侧的间隔物，所述间隔物覆盖所述锗层的其余部分；

在所述衬底结构上形成层间电介质层以覆盖所述伪栅极结构；

在形成层间电介质层之后进行平坦化，以使得所述伪栅极的上表面露出；

去除所述伪栅极和所述伪栅极绝缘物以露出其下的锗层的表面；

对所述锗层的露出表面执行硅烷浸透处理，以对所述锗层的所述露出表面引入硅；

对引入了硅的所述锗层的所述露出表面执行第一氧化处理，以在所述锗层的表面形成氧化物层，所述氧化物层包含硅元素和锗元素；以及

对所述氧化物层执行氮化处理，以形成含氮的氧化物层。

2.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体结构还包括位于所述锗层两侧的与所述锗层邻接的源极和漏极。

3.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述一个或多个鳍片每个还包括在锗层下面的硅层。

4.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述硅烷浸透处理包括：在400℃至500℃的温度，将所述半导体结构沉浸在硅烷气氛中1分钟至30分钟，硅烷气氛的气压为5托至20托。

5.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述氧化物层包括：SiO₂、GeO₂和SiGeO₂。

6.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

利用氨气、一氧化二氮、一氧化氮或氮气等离子体执行所述氮化处理。

7.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述含氮的氧化物层上和所述间隔物的侧壁上形成高k介质层。

8.根据权利要求7所述半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

对所述高k介质层执行第二氧化处理，以减少所述高k介质层中的空位。

9.根据权利要求8所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

在氧气气氛下、在450℃至550℃的温度范围内执行所述第二氧化处理，

其中，所述氧气的浓度小于10ppm。

10.根据权利要求8所述半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述高k介质层上形成栅极。

11.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述一个或多个鳍片包括用于形成第一类型装置的第一组鳍片和用于形成第二类型装置的第二组鳍片。

12.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述衬底结构还包括形成在所述衬底上的电介质层，

其中，所述一个或多个鳍片突出于所述电介质层，所述伪栅极绝缘物和所述伪栅极在所述电介质层上方。

13.根据权利要求2所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述源极和所述漏极的材料包括硅锗(SiGe)或硅磷(SiP)。