[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底结构，衬底结构包括衬底；突出于衬底结构的一个或多个半导体鳍片，鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在第二部分相对于第一部分的外侧的第三部分，第一部分突出于第二部分，第二部分的上表面低于第一部分的上表面，第三部分的上表面低于第二部分的上表面；在第一部分上且包绕在第一部分表面的栅极结构；在栅极结构的侧面的侧壁间隔物，其中侧壁间隔物延伸到并覆盖第二部分的上表面；以及分别在侧壁间隔物相对于栅极结构的外侧且在第三部分上的源极和漏极，源极和漏极的上表面高于鳍片的第二部分的上表面。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括衬底；突出于所述衬底结构的一个或多个半导体鳍片，所述鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在所述第二部分相对于所述第一部分的外侧的第三部分，所述第一部分突出于所述第二部分，所述第二部分的上表面低于所述第一部分的上表面，所述第三部分的上表面低于所述第二部分的上表面；在所述第一部分上且包绕在所述第一部分表面的栅极结构；在所述栅极结构的侧面的侧壁间隔物，其中所述侧壁间隔物延伸到并覆盖所述第二部分的上表面；以及分别在所述侧壁间隔物相对于栅极结构的外侧且在所述第三部分上的源极和漏极，所述源极和漏极的上表面高于所述鳍片的第二部分的上表面。