[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底结构，所述衬底结构包括衬底；

突出于所述衬底结构的一个或多个半导体鳍片，所述鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在所述第二部分相对于所述第一部分的外侧的第三部分，所述第一部分突出于所述第二部分，所述第二部分的上表面低于所述第一部分的上表面，所述第三部分的上表面低于所述第二部分的上表面；

在所述第一部分上且包绕在所述第一部分表面的栅极结构；

在所述栅极结构的侧面的侧壁间隔物，其中所述侧壁间隔物延伸到并覆盖所述第二部分的上表面；以及

分别在所述侧壁间隔物相对于栅极结构的外侧且在所述第三部分上的源极和漏极，所述源极和漏极的上表面高于所述鳍片的第二部分的上表面；

其中，所述第一部分从所述第二部分的侧表面和上表面突出。

2.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，

所述第一部分包括在鳍片的主体上的外延层，所述外延层与所述栅极结构邻接。

3.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，

所述一个或多个鳍片包括用于形成NMOS晶体管的第一组鳍片和用于形成PMOS晶体管的第二组鳍片。

4.根据权利要求3所述半导体装置，其特征在于，

所述第一组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为N型；

所述第二组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为N型。

5.根据权利要求3所述半导体装置，其特征在于，

所述第一组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为P型；

所述第二组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为N型。

6.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，

所述第一部分突出于所述第二部分1nm至5nm。

7.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，

所述半导体鳍片的材料为硅或者硅锗(SiGe)；

所述源极和漏极的材料为硅锗(SiGe)或硅磷(SiP)。

8.根据权利要求3所述半导体装置，其特征在于，

所述半导体鳍片的材料为硅或者SiGe；

所述第一组鳍片的源极和漏极的材料为SiP；

所述第二组鳍片的源极和漏极的材料为SiGe。

9.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，

所述衬底结构还包括在所述衬底上的电介质层，

其中，所述一个或多个半导体鳍片突出于所述电介质层，所述栅极结构在所述电介质层上方。

10.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，还包括：在所述衬底结构上的层间电介质层，所述层间电介质层围绕所述侧壁间隔物和所述栅极结构。

11.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，

所述栅极结构包括：在所述第一部分上且包绕所述第一部分的栅极绝缘物和在所述栅极绝缘物上的栅极。

12.根据权利要求11所述半导体装置，其特征在于，

所述栅极包括：多晶硅和/或金属。

13.根据权利要求11所述半导体装置，其特征在于，

所述栅极包括：导电功能层。