[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610087701.2 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106611791B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金东权;徐康一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一纳米线设置在基板上。第一纳米线在第一方向上延伸并且与基板间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围。栅电极在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅间隔物形成在栅电极的侧壁上。栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁。栅间隔物的内侧壁面对栅电极的侧壁。第一纳米线的端部分从栅间隔物的外侧壁突出。源极/漏极设置在栅电极的至少一侧。源极/漏极连接到第一纳米线的突出的端部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在基板上的第一纳米线，其中所述第一纳米线在第一方向上延伸并且与所述基板间隔开；栅电极，围绕所述第一纳米线的外围，其中所述栅电极在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；栅间隔物，形成在所述栅电极的侧壁上，所述栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁，其中所述栅间隔物的所述内侧壁面对所述栅电极的所述侧壁并且所述第一纳米线的端部分从所述栅间隔物的所述外侧壁突出；以及源极/漏极，设置在所述栅电极的至少一侧，其中所述源极/漏极连接到所述第一纳米线的所述突出的端部分。
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