[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在基板上的第一纳米线，其中所述第一纳米线在第一方向上延伸并且与所述基板间隔开；

栅电极，围绕所述第一纳米线的外围，其中所述栅电极在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；

栅间隔物，形成在所述栅电极的侧壁上，所述栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁，其中所述栅间隔物的所述内侧壁面对所述栅电极的所述侧壁并且所述第一纳米线的端部分从所述栅间隔物的所述外侧壁突出；以及

源极/漏极，设置在所述栅电极的至少一侧，其中所述源极/漏极连接到所述第一纳米线的所述端部分，

其中所述栅间隔物在沿所述第二方向截取的截面中包括内部间隔物和围绕所述内部间隔物的外部间隔物，

其中所述内部间隔物位于所述基板和所述第一纳米线之间，

其中所述内部间隔物包括在所述第一方向上延伸的侧壁，

其中所述外部间隔物覆盖所述内部间隔物的所述侧壁，且接触所述内部间隔物的所述侧壁，以及

其中所述第一纳米线接触所述外部间隔物和所述内部间隔物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一纳米线在所述截面中设置在所述外部间隔物和所述内部间隔物之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述内部间隔物和所述外部间隔物具有彼此不同的介电常数。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述内部间隔物的介电常数小于所述外部间隔物的介电常数。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述栅间隔物包括在所述第二方向上位于中间的第一区域和在所述第二方向上设置在所述第一区域两侧的第二区域，所述第一纳米线的顶表面与所述栅间隔物的所述第一区域的所述外部间隔物接触，所述第一纳米线的底表面与所述栅间隔物的所述第一区域的所述内部间隔物接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述内部间隔物和所述外部间隔物的厚度彼此不同。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述内部间隔物的厚度大于所述外部间隔物的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二纳米线，设置在所述基板上并且在所述第一方向上延伸，其中所述第一纳米线插置在所述第二纳米线和所述基板之间，并且所述第二纳米线的外围被所述栅电极围绕。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述栅间隔物在沿所述第二方向截取的截面中包括内部间隔物和围绕所述内部间隔物的外部间隔物，以及

其中在所述截面中，所述内部间隔物位于所述基板和所述第一纳米线之间以及在所述第一纳米线和所述第二纳米线之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述栅间隔物的所述外侧壁包括所述内部栅间隔物的侧壁和所述外部栅间隔物的侧壁，以及

其中所述内部栅间隔物的所述侧壁和所述外部栅间隔物的所述侧壁彼此对准以形成所述栅间隔物的所述外侧壁。