[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制备方法，在N阱上形成第一插塞，同时在P阱上形成第二插塞，之后，背面减薄半导体衬底，并在半导体衬底的背面形成P型引出区；再依次刻蚀半导体衬底、N型外延层以及P阱，在N阱周围形成第一沟槽，在第一插塞上形成第二沟槽，第一沟槽中填充第一介质层用于形成隔离结构，部分第二沟槽中填充金属层形成通孔结构。本发明中，对半导体衬底进行背面减薄之后形成再形成隔离结构和通孔结构，从而防止背面减薄的过程中损伤隔离结构和通孔结构，影响器件性能。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底正面形成有N型外延层、位于所述N型外延层上的P阱以及位于所述P阱部分表面上的N阱，所述N阱上具有第一插塞以及位于所述第一插塞上的第一焊垫，所述P阱上具有第二插塞以及位于所述第二插塞上的第二焊垫；在所述半导体衬底正面键合一玻璃基板，并对所述半导体衬底的背面进行减薄，以在所述半导体衬底背面形成P型引出区；依次刻蚀所述半导体衬底、N型外延层以及P阱，形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽围绕所述N阱，所述第二沟槽暴露所述第二插塞；在所述第一沟槽中填充第一介质层形成隔离结构，在所述第二沟槽的侧壁和部分底壁中填充第二介质层；在剩余的所述第二沟槽中填充金属层形成通孔结构。