[发明专利]具有浮动保护剂的光刻抗蚀剂有效
| 申请号： | 201610081815.6 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105929634B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕;王建惟;陈学安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改进的抗蚀剂材料和一种图案化工件(诸如集成电路工件)的方法，该方法提高了对环境污染物的抵抗力。在一个示例性实施例中，该方法包括接收工件和对该工件施加含有保护剂的抗蚀剂材料，所述保护剂分布在整个抗蚀剂材料中。对工件执行热工艺，以使保护剂在抗蚀剂材料的上部区域集中。将抗蚀剂材料在光刻工艺中曝光并且使曝光的抗蚀剂材料显影以在抗蚀剂材料内限定图案。在这样的一些实施例中，保护剂被选择为减小环境污染的影响而不影响所述抗蚀剂材料的酸/碱比率。在一些实施例中，保护剂包括疏水性官能团。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浮动 保护 光刻 抗蚀剂 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件的制造方法，包括：/n接收工件；/n对所述工件施加含有具有含氟官能团的疏水性保护剂的抗蚀剂材料，所述具有含氟官能团的疏水性保护剂分布在整个所述抗蚀剂材料内；/n对所述工件执行热工艺，所述热工艺被配置为使所述具有含氟官能团的疏水性保护剂集中在所述抗蚀剂材料的上部区域中；/n在光刻工艺中曝光所述抗蚀剂材料，其中，所述具有含氟官能团的疏水性保护剂抵制在所述光刻工艺中影响抗蚀剂材料酸/碱比的环境污染物；/n显影所述曝光的抗蚀剂材料以在所述抗蚀剂材料内限定图案；以及/n基于所述抗蚀剂材料的所述图案，选择性地处理所述工件的部分，/n所述热工艺包括：将所述工件暴露于不使所述抗蚀剂材料固化的第一温度，以及将所述工件暴露于大于所述第一温度的第二温度。/n
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