[发明专利]环栅MOSFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201610079732.3 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107039509B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张亚利;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种环栅MOSFET及其形成方法，该环栅MOSFET包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的沟道区、源区和漏区，所述源区、漏区沿第一方向位于所述沟道区的两侧，所述第一方向平行于或垂直于所述半导体衬底的表面，所述沟道区包括内芯区和覆盖在所述内芯区表面的外壳区，所述内芯区的材料包括半导体材料，所述外壳区的材料包括黑磷；位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极沿环绕所述第一方向的第二方向包围所述沟道区的所述外壳区。黑磷相对于传统的半导体材料具有更佳的载流子迁移率，故本发明技术方案的环栅MOSFET能够有效抑制晶体管的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 环栅 mosfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种环栅MOSFET，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n位于所述半导体衬底上的沟道区、源区和漏区，所述源区、漏区沿第一方向位于所述沟道区的两侧，所述第一方向平行于或垂直于所述半导体衬底的表面，所述沟道区包括内芯区和覆盖在所述内芯区表面的外壳区，所述内芯区的材料包括红磷，所述外壳区的材料包括黑磷；/n位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极沿环绕所述第一方向的第二方向包围所述沟道区的所述外壳区。/n
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