[发明专利]一种基于碳量子点的电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610079001.9 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN105514238A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 李岚;刘泽明;赵相国;李霖霖;任鹏飞;张晓松;徐建萍 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于碳量子点的电致发光器件,包括顶电极、底电极和依次位于顶、底电极之间的电子注入层、发光层,电子注入层为氟化锂薄膜,顶电极为Al,底电极为ITO导电玻璃,发光层为层层自组装的碳量子点薄膜;其制备方法是:碳量子点的制备为柠檬酸与十八烯在高温下的油相反应;碳量子点表面改性为通过二甲基甲酰胺、丙烯酸分别将碳量子点表面氨基和羧基化;碳量子点薄膜的层层自组装方法为ITO导电玻璃在两种碳量子点溶液中交替沉积,时间为15min。本发明的优点是:该器件的发光层通过层层自组装方法获得,避免了真空蒸镀与气象沉积方法的复杂工艺以及高额的成本,易实现大面积薄膜,器件显示出良好的整流特性和稳定的电致发光现象。
搜索关键词: 一种 基于 量子 电致发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于碳量子点的电致发光器件,其特征在于:包括顶电极、底电极和依次位于顶、底电极之间的电子注入层、发光层,所述电子注入层为氟化锂(LiF)薄膜,厚度为1nm;所述的顶电极为Al,厚度为150nm;底电极为ITO导电玻璃,厚度为9mm,所述发光层为层层自组装的碳量子点薄膜,其厚度为30‑50nm。
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