[发明专利]一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610073189.6 申请日: 2016-02-02
公开(公告)号: CN107032328B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 贺军辉;曹阳;杨花;孙家林 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 11257 北京正理专利代理有限公司 代理人: 张文祎;赵晓丹
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法。该方法包括将氧化石墨烯的乙醇分散液多次滴涂在具有微纳结构的基底上,然后在氩气和氢气气氛下,保持气压50~500Pa、200~1000℃热处理2~5h,制得与具有微纳结构的基底相同面积、相同形状、且能从基底上完整脱离的自支撑还原氧化石墨烯薄膜。所制备的薄膜厚度在几百纳米,利于减小器件整体尺寸,适于微纳光电器件中使用;薄膜导电性好,薄膜电阻能够小到50Ω/sq,导电性显著好于化学氧化还原法制得的还原氧化石墨烯薄膜,利于载流子迁移;薄膜中氧化石墨烯的还原程度受热处理温度调控,热处理温度越高还原程度越高,因此,可根据实际应用需要较容易地调控薄膜中氧化石墨烯的还原程度。
搜索关键词: 一种 支撑 还原 氧化 石墨 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n1)将氧化石墨烯分散于乙醇中,配制成质量浓度为0.2-1.0 mg/mL的氧化石墨烯分散液;/n2)将步骤1)制得的氧化石墨烯分散液滴涂在具有微纳结构的基底上,制得铺展在具有微纳结构的基底上的氧化石墨烯薄膜;/n3)将所述铺展在具有微纳结构的基底上的氧化石墨烯薄膜在空气中自然晾干后,置于氩气和氢气的混合气氛中,保持气压50-500Pa、200-1000℃热处理2-5h,制得与具有微纳结构的基底相同面积、相同形状、且能从基底上完整脱离的自支撑还原氧化石墨烯薄膜;/n其中,步骤2)中,滴涂的具体过程为:滴涂分多个循环完成,每个循环滴涂2-3次,每次滴涂按照每平方厘米基底25-35 μL取液,每个循环需干燥后再进行下一个循环;/n所述铺展在具有微纳结构的基底上的氧化石墨烯薄膜与基底之间形成了面-点式接触。/n
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