[发明专利]一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将氧化石墨烯分散于乙醇中，配制成质量浓度为0.2-1.0 mg/mL的氧化石墨烯分散液；

2）将步骤1）制得的氧化石墨烯分散液滴涂在具有微纳结构的基底上，制得铺展在具有微纳结构的基底上的氧化石墨烯薄膜；

3）将所述铺展在具有微纳结构的基底上的氧化石墨烯薄膜在空气中自然晾干后，置于氩气和氢气的混合气氛中，保持气压50-500Pa、200-1000℃热处理2-5h，制得与具有微纳结构的基底相同面积、相同形状、且能从基底上完整脱离的自支撑还原氧化石墨烯薄膜；

其中，步骤2）中，滴涂的具体过程为：滴涂分多个循环完成，每个循环滴涂2-3次，每次滴涂按照每平方厘米基底25-35 μL取液，每个循环需干燥后再进行下一个循环；

所述铺展在具有微纳结构的基底上的氧化石墨烯薄膜与基底之间形成了面-点式接触。

2.根据权利要求1所述的一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述具有微纳结构的基底指表面具有微米级或纳米级或微纳米级共存的微观结构的基底。

3.根据权利要求2所述的一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述具有微纳结构的基底指表面具有微米级或纳米级或微纳米级共存的微观结构的能够耐受200-1000℃的硅、石英、玻璃、陶瓷、不锈钢、钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛、锆、碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅、磷化硼或者磷化硅基底。

4.根据权利要求3所述的一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：所述具有微纳结构的基底为硅纳米线阵列基底、具有微米凸起的石英基底或具有微米凸起的氧化铝陶瓷基底。

5.根据权利要求1所述的一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3）中，所述氩气和氢气的混合气氛中氩气的体积百分比为95%，氢气的体积百分比为5%。