[发明专利]一种采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法

摘要

本发明一种采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：1）将待处理的碳化硅单晶衬底置于反应腔内，对该反应腔抽真空至10^‑5pa，保持10分钟，然后通入刻蚀气体至1‑120Kpa，保持20分钟；2）对反应腔抽真空至10^‑3pa，并加热至1000‑1200℃，保持30分钟；3）维持反应腔真空度在10^‑3pa，保持10分钟，通入刻蚀气体与载气的混合气体至10Kpa，保持3分钟；4）通入混合气体至1‑120Kpa，并加热至1300‑1900℃，在该真空度和温度下维持30分钟后再次抽真空；5）保持加热温度进行干式刻蚀，重复多次向反应腔通入刻蚀气体至1‑120Kpa后抽真空至10^‑4pa，然后按照10‑15℃/min的降温速度降至室温。采用高温、腐蚀性气体去除机械加工过程中产生的加工损伤，从而获得原子级的、无损伤超高精度晶片表面。

主权项

1.一种采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：步骤1）将待处理的碳化硅单晶衬底置于反应腔内，对该反应腔抽真空至10-5pa，保持10分钟，然后通入刻蚀气体至1-120Kpa，保持20分钟；步骤2）对反应腔抽真空至10-3pa，并加热至1000-1200℃，保持30分钟；步骤3）维持反应腔真空度在10-3pa，保持10分钟，通入刻蚀气体与载气的混合气体至10Kpa，保持3分钟；步骤4）向反应腔通入所述混合气体至50Kpa，并加热至1300-1900℃，在该真空度和温度下维持30分钟后再次抽真空；步骤5）保持所述步骤4）中的加热温度进行干式刻蚀，重复多次向反应腔通入刻蚀气体至1-120Kpa后抽真空至10-4pa，然后按照10-15℃/min的降温速度将反应腔降至室温；其中，步骤1）、步骤3）、步骤4）重复多次进入下一步骤。