[发明专利]一种采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法有效
| 申请号： | 201610072249.2 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105632901B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王锡铭 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应腔 抽真空 干式刻蚀 刻蚀气体 衬底 加热 混合气体 碳化硅 机械加工过程 腐蚀性气体 碳化硅单晶 晶片表面 无损伤 原子级 去除 载气 损伤 重复 加工 | ||
1.一种采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：
步骤1）将待处理的碳化硅单晶衬底置于反应腔内，对该反应腔抽真空至10
步骤2）对反应腔抽真空至10
步骤3）维持反应腔真空度在10
步骤4）向反应腔通入所述混合气体至50Kpa，并加热至1300-1900℃，在该真空度和温度下维持30分钟后再次抽真空；
步骤5）保持所述步骤4）中的加热温度进行干式刻蚀，重复多次向反应腔通入刻蚀气体至1-120Kpa后抽真空至10
其中，步骤1）、步骤3）、步骤4）重复多次进入下一步骤。
2.如权利 要求1所述的采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，其特征在于，所述刻蚀气体为氯化氢、氨气、硅烷或氢气。
3.如权利 要求1所述的采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，其特征在于，所述载气为氮气或惰性气体。
4.如权利 要求1所述的采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，其特征在于，所述混合气体中刻蚀气体的体积比为5%，载气气体的体积比为95%。
5.如权利 要求1所述的采用干式刻蚀方法获得碳化硅衬底的方法，其特征在于，在所述步骤1）之前需要对碳化硅衬底进行清洗，以保证刻蚀过程中的表面一致性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
