[发明专利]消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法和装置有效
| 申请号： | 201610071877.9 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105543964A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张云伟;韩金波;靳丽婕 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，包括：步骤1选取厚度在0.1-1mm范围内的石墨纸或Ta（钽）片；步骤2将石墨纸或Ta片裁切成高度与石墨坩埚内壁一致，长度于石墨坩埚内周长一致的长条，曲卷放入石墨坩埚内，调整位置使其与石墨坩埚内侧表面贴合；步骤3将石墨纸或Ta片裁剪成厚度一致、直径与石墨坩埚内底直径一致，将裁剪后的石墨纸或Ta片置于坩埚内底，与坩埚底部贴合；步骤4将原料放入石墨坩埚中夯实，进行碳化硅单晶生长。该方法有效的降低了生长升华过程中气相组分对反应系统石墨内壁的腐蚀。本发明还公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 碳化硅 生长 过程 石墨 腐蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1选取厚度在0.1‑1mm范围内的石墨纸或Ta片；步骤2将石墨纸或Ta片裁切成高度与石墨坩埚内壁一致，长度于石墨坩埚内周长一致的长条，曲卷放入石墨坩埚内，调整位置使其与石墨坩埚内侧表面贴合；步骤3将石墨纸或Ta片裁剪成厚度一致、直径与石墨坩埚内底直径一致，将裁剪后的石墨纸或Ta片置于坩埚内底，与坩埚底部贴合；步骤4将原料放入石墨坩埚中夯实，进行碳化硅单晶生长。
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