[发明专利]消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法和装置有效
| 申请号： | 201610071877.9 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105543964A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张云伟;韩金波;靳丽婕 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 碳化硅 生长 过程 石墨 腐蚀 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤1选取厚度在0.1-1mm范围内的石墨纸或Ta片；
步骤2将石墨纸或Ta片裁切成高度与石墨坩埚内壁一致，长度于石墨坩埚内周长一致的长条，曲卷放入石墨坩埚内，调整位置使其与石墨坩埚内侧表面贴合；
步骤3将石墨纸或Ta片裁剪成厚度一致、直径与石墨坩埚内底直径一致，将裁剪后的石墨纸或Ta片置于坩埚内底，与坩埚底部贴合；
步骤4将原料放入石墨坩埚中夯实，进行碳化硅单晶生长。
2.消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置，其特征在于，该装置包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚上扣合有坩埚盖，所述坩埚盖的内侧固定有籽晶，石墨坩埚内装有原料，石墨坩埚的内侧壁和内底壁上贴附有隔离层，所述隔离层为厚度在0.1-1mm范围内的石墨纸或Ta片。
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