[发明专利]一种金刚线硅片的制绒方法及应用有效
| 申请号： | 201610071341.7 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105696084B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 叶飞;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金刚线硅片的制绒方法，包括以下步骤：a)将金刚线硅片依次进行第一处理和水洗，得到处理后的金刚线硅片；所述第一处理的处理液为AgNO3溶液；b)将处理后的金刚线硅片依次进行第二处理和碱洗，得到制绒后的金刚线硅片；所述第二处理的处理液为HF和H2O2的混合溶液。与现有技术相比，本发明提供的制绒方法针对金刚线硅片的表面结构，采用不同处理液进行多步处理，得到的制绒后的金刚线硅片具有较低反射率，能够提高太阳能电池的电性能及转换效率。实验结果表明，采用本发明提供的制绒方法得到的制绒后的金刚线硅片的反射率为17％～18.3％，相应太阳能电池的转换效率在18％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚 硅片 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种金刚线硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将金刚线硅片依次进行酸处理和水洗，得到预处理后的金刚线硅片；将预处理后的金刚线硅片依次进行第一处理和水洗，得到处理后的金刚线硅片；所述第一处理的处理液为AgNO3溶液；所述第一处理的处理液的浓度为0.1mol/L～0.3mol/L；b)将处理后的金刚线硅片依次进行第二处理和碱洗，得到制绒后的金刚线硅片；所述第二处理的处理液为HF和H2O2的混合溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
