[发明专利]具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法

摘要

本发明提供一种具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构及其制备方法，包括1）提供生长衬底，于生长衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）于P-GaN层上形成P电极；3）提供键合衬底，将键合衬底与步骤2）得到的结构键合在一起；4）剥离生长衬底；5）去除UID-GaN层，并采用ICP刻蚀工艺去除切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；6）于台阶结构的侧壁及切割道区域形成钝化保护层；7）对N-GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；8）于表面粗化后的N-GaN层表面制备N电极。本发明的制备方法可以有效地避免在台阶结构的侧壁形成深槽，使得台阶结构的侧壁始终为光滑侧壁，提高了台阶结构侧壁的抗ESD击穿的能力，从而大大提升了垂直LED芯片结构的可靠性。

主权项

一种具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供生长衬底，于所述生长衬底上依次生长UID‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层以及P‑GaN层；2)于所述P‑GaN层上形成P电极；3)提供键合衬底，将所述键合衬底与步骤2)得到的结构键合在一起，且所述P电极的表面与所述键合衬底的表面紧密贴合；4)剥离所述生长衬底；5)去除所述UID‑GaN层，并采用ICP刻蚀工艺去除切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；6)于所述台阶结构的侧壁及切割道区域形成钝化保护层；7)对所述N‑GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；8)于表面粗化后的所述N‑GaN层表面制备N电极。