[发明专利]具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法

权利要求书

1.一种具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)提供生长衬底，于所述生长衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；

2)于所述P-GaN层上形成P电极；

3)提供键合衬底，将所述键合衬底与步骤2)得到的结构键合在一起，且所述P电极的表面与所述键合衬底的表面紧密贴合；

4)剥离所述生长衬底；

5)去除所述UID-GaN层，并采用ICP刻蚀工艺去除切割道区域的GaN，同时形成台阶结构；

6)于所述台阶结构的侧壁及切割道区域形成钝化保护层；

7)对所述N-GaN层表面进行表面粗化，形成粗化微结构；

8)于表面粗化后的所述N-GaN层表面制备N电极。

2.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述生长衬底为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤2)包括以下步骤：

2-1)于所述P-GaN层表面形成欧姆接触的ITO透明导电膜；

2-2)于所述ITO透明导电膜表面形成反射层，所述反射层包覆所述ITO透明导电膜；

2-3)于所述反射层表面形成金属键合层。

4.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤3)中，所述键合衬底包括Si衬底、W/Cu衬底及Mo/Cu衬底中的一种。

5.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤4)中，采用激光剥离工艺剥离所述生长衬底。

6.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤5)中，采用ICP刻蚀法去除所述UID-GaN层，并采用ICP刻蚀法去除切割道区域的GaN，所述ICP刻蚀法采用的刻蚀气体包括Cl₂及BCl₃的一种或其混合气体。

7.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤6)中，所述钝化保护层为SiO₂层。

8.根据权利要求1所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：步骤7)中，采用湿法腐蚀工艺对所述N-GaN层表面进行表面粗化，使N-GaN层表面形成金字塔形粗化微结构。

9.根据权利要求8所述的具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述湿法腐蚀工艺采用的腐蚀溶液包括KOH及H₃PO₄中的一种或其混合溶液。