[发明专利]闪存单元逻辑状态的模拟控制方法及装置有效
| 申请号： | 201610067372.5 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105760582B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张凤伟;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存单元逻辑状态的模拟控制方法及装置，所述方法包括：分别在所述闪存单元的控制栅极施加相应的补偿电压，模拟出所述闪存单元相应的逻辑状态，所述补偿电压与所述闪存单元的逻辑状态对应。应用所述方法及装置，可以在器件模型提取过程中，精确地控制闪存单元处于不同的逻辑状态，提高测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 逻辑 状态 模拟 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元逻辑状态的模拟控制方法，所述闪存单元包括至少一存储结构，所述存储结构包括：位线电极、控制栅极以及浮栅，其特征在于，包括：分别在所述闪存单元的控制栅极施加相应的补偿电压，模拟出所述闪存单元相应的逻辑状态，所述补偿电压与所述闪存单元的逻辑状态对应。
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