[发明专利]导电支撑体负载的SiO/C复合电极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610066076.3 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107026258A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郭向欣;崔忠慧;薛驰;缪永华;靳承铀;贺劲鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;中天储能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及导电支撑体负载的SiO/C复合电极材料及其制备方法和应用，所述复合电极材料包括导电支撑体、负载于所述导电支撑体上的氧化硅层、以及包覆于所述氧化硅层表面的导电包覆层。本发明的基于氧化硅的复合材料由于采用了导电支撑体作为模板，所得的复合材料将具有优异的电子导电性，有利于实现其构成电池的大倍率工作；而且，导电支撑体支撑的SiO/导电包覆层结构更有利于缓冲活性物质在循环过程中的体积应变，实现更优异的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 支撑 负载 sio 复合 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于氧化硅的复合材料，其特征在于，包括：导电支撑体、负载于所述导电支撑体上的氧化硅层、以及包覆于所述氧化硅层表面的导电包覆层。
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