[发明专利]沟槽型MOS器件中沟槽底部形成屏蔽膜层的方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽底部形成屏蔽膜层的方法，沟槽刻蚀形成之后，先通过热氧化形成氧化层(即后续的栅氧化层)并在氧化层上淀积氮化层，然后淀积多晶硅并对多晶硅进行回刻直至沟槽底部剩余足够的多晶硅，最后将沟槽底部的多晶硅完全氧化并刻蚀去除外露的氮化层，最终沟槽底部的热氧化层、氮化层以及多晶硅氧化形成的氧化层组成ONO的屏蔽膜层结构。本发明的方法可以在沟槽底部得到所需厚度的屏蔽膜层，不但保证了器件的栅极和漏极之间的寄生电容有效降低以及器件的开关特性良好，同时避免了采用HDP/CMP工艺造成器件面内均一性较差的问题，而且工艺过程简明，有效地降低了生产成本。

主权项

一种沟槽型MOS器件中沟槽底部形成屏蔽膜层的方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，外延层上刻蚀形成有沟槽，采用热氧化生长工艺在所述沟槽的底部表面和侧壁表面形成第一氧化层；第2步，在所述第一氧化层的表面形成氮化层；第3步，采用多晶硅淀积工艺在所述氮化层的表面形成多晶硅层，所述多晶硅层将形成有第一氧化层、氮化层的沟槽完全填充；第4步，对所述多晶硅层进行第一次回刻至所述多晶硅层的表面与所述外延层的硅表面齐平；第5步，对沟槽内的多晶硅进行第二次回刻；第6步，将沟槽内残留的多晶硅全部氧化形成第二氧化层；第7步，刻蚀去除沟槽侧壁露出的氮化层以及硅表面的氮化层，沟槽侧壁露出的第一氧化层形成栅氧化层，沟槽底部的第一氧化层、氮化层和第二氧化层共同形成屏蔽膜层。