[发明专利]深沟槽型超级结器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽型超级结器件的制造方法，通过将衬底的背封从Poly+LTO变更为LTO+Poly，防止了在工艺流程中漏在外面的背封LTO被湿法工艺步骤所去除，第二N型外延层成长时LTO会被Poly保护而均仍存在，衬底中重掺杂的元素不会外扩而导致第二N型外延层的掺杂异常，在不带来应力问题的情况下，解决了现有工艺在第二N型外延层的高温生长过程中衬底中的掺杂外扩的问题，能有效改善深沟槽型超级结器件反向击穿电压等电学特性。

主权项

一种深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在晶圆的第一N型外延层表面形成第一ONO介质层；所述第一ONO介质层自上而下分别为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；第一N型外延层下面为N型重掺杂衬底；N型重掺杂衬底下面为低温氧化物；低温氧化物下面为多晶硅层；低温氧化物和多晶硅层为背封；二.采用光刻工艺以光刻胶在第一ONO介质层上定义出第一层沟槽的图形，然后利用干法刻蚀，将第一层沟槽处的第一ONO介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第一ONO介质层作为硬掩模进行第一层沟槽的刻蚀；三.用湿法条件去除第一ONO介质层的第三氧化硅、第二氮化硅并保留其第一氧化硅，然后在第一层沟槽内做第一p型立柱外延填充，然后CMP工艺去除晶圆表面成长的Si，并利用湿法刻蚀去除剩余的第一ONO介质层的第一氧化硅，完成第一p型立柱制作；四.在完成第一p型立柱的晶圆上，通过与第一p型立柱对准，制作对准标记；五.在完成第一p型立柱及对准标记的晶圆上进行牺牲氧化，然后生长第二N型外延层；六.在第二N型外延层上淀积第二ONO介质层，所述第二ONO介质层自上而下分别为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；七.采用光刻工艺与所述对准标记对准，以光刻胶在第二ONO介质层上相应于第一p型立柱的位置定义出第二层沟槽的图形，并利用干法刻蚀将第二层沟槽处的第二ONO介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第二ONO介质层作为硬掩模进行第二层沟槽的刻蚀，第二层沟槽的底部到达第一p型立柱顶部；八.用湿法条件去除第二ONO介质层的第三氧化硅、第二氮化硅并保留其第一氧化硅，然后在第二层沟槽内做第二p型立柱外延填充；然后CMP工艺去除晶圆表面成长的Si，并利用湿法刻蚀去除剩余的第二ONO介质层的第一氧化硅，完成第二p型立柱制作，第二p型立柱的底部连接第一p型立柱的顶部，完成整个p型立柱的制作；九.进行后续工艺，形成深沟槽型超级结器件。