[发明专利]深沟槽型超级结器件的制造方法

权利要求书

1.一种深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在晶圆的第一N型外延层表面形成第一ONO介质层；

所述第一ONO介质层自上而下分别为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；

第一N型外延层下面为N型重掺杂衬底；

N型重掺杂衬底下面为低温氧化物；

低温氧化物下面为多晶硅层；

低温氧化物和多晶硅层为背封；

二.采用光刻工艺以光刻胶在第一ONO介质层上定义出第一层沟槽的图形，然后利 用干法刻蚀，将第一层沟槽处的第一ONO介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第一ONO 介质层作为硬掩模进行第一层沟槽的刻蚀；

三.用湿法条件去除第一ONO介质层的第三氧化硅、第二氮化硅并保留其第一氧化 硅，然后在第一层沟槽内做第一p型立柱外延填充，然后CMP工艺去除晶圆表面成长的 Si，并利用湿法刻蚀去除剩余的第一ONO介质层的第一氧化硅，完成第一p型立柱制作；

四.在完成第一p型立柱的晶圆上，通过与第一p型立柱对准，制作对准标记；

五.在完成第一p型立柱及对准标记的晶圆上进行牺牲氧化，然后生长第二N型外 延层；

六.在第二N型外延层上淀积第二ONO介质层，所述第二ONO介质层自上而下分别 为第三氧化硅、第二氮化硅、第一氧化硅；

七.采用光刻工艺与所述对准标记对准，以光刻胶在第二ONO介质层上相应于第一 p型立柱的位置定义出第二层沟槽的图形，并利用干法刻蚀将第二层沟槽处的第二ONO 介质层刻开，之后去除光刻胶，利用第二ONO介质层作为硬掩模进行第二层沟槽的刻蚀， 第二层沟槽的底部到达第一p型立柱顶部；

八.用湿法条件去除第二ONO介质层的第三氧化硅、第二氮化硅并保留其第一氧化 硅，然后在第二层沟槽内做第二p型立柱外延填充；然后CMP工艺去除晶圆表面成长的 Si，并利用湿法刻蚀去除剩余的第二ONO介质层的第一氧化硅，完成第二p型立柱制作， 第二p型立柱的底部连接第一p型立柱的顶部，完成整个p型立柱的制作；

九.进行后续工艺，形成深沟槽型超级结器件。

2.根据权利要求1所述的深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，

背封中的低温氧化物的厚度为1000埃～20000埃；

背封中的多晶硅层厚度为1000埃～20000埃。

3.根据权利要求2所述的深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，

背封中的低温氧化物的厚度为5000埃；

背封中的多晶硅层厚度为5000埃。

4.根据权利要求1所述的深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，

第一ONO介质层、第二ONO介质层的各层厚度为：

第三氧化硅厚度为0.5～3um，第二氮化硅厚度为100～1500埃，第一氧化硅厚度为 100～2000埃。

5.根据权利要求1所述的深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，

第二N型外延层的厚度小于等于第一N型外延层的厚度；

第一N型外延层的厚度为15～50um；

第二N型外延层的厚度为15～50um。

6.根据权利要求1所述的深沟槽型超级结器件的制造方法，其特征在于，

步骤二中，第一层沟槽刻蚀深度为最终所需沟槽深度的45％到55％。