[发明专利]堆叠结构的射频功率放大器在审
申请号: | 201610056737.4 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN105743447A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 林俊明;章国豪;张志浩;余凯 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 刘媖 |
地址: | 510090 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种堆叠结构的射频功率放大器,包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,B,以及至少由两层晶体管漏极源极相连堆叠并联组成的功率放大电路;射频信号源通过输入匹配电路连接功率放大电路的底层晶体管的栅极,偏置电路B连接底层晶体管的栅极,底层晶体管的源极接地;偏置电路A通过扼流电阻连接功率放大电路其余每层晶体管的栅极,该栅极通过连接栅极电容接地;最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。该电路提高了功率放大器的输出阻抗,提高了功率放大器整体的线性度;提高了射频功率放大器的输出级的耐压能力和电流驱动能力,还提高了版图绘制的灵活性。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 结构 射频 功率放大器 | ||
【主权项】:
一种堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两层晶体管漏极源极相连堆叠并联组成的功率放大电路;其中,射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极,所述最底层晶体管的源极接地;所述偏置电路A通过扼流电阻连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余每层晶体管的栅极,所述其余每层晶体管的栅极通过连接栅极电容接地;所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。
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