[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置

摘要

本发明的阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，设计由多晶硅半导体层和第一金属层以及两者之间的绝缘层，或者多晶硅半导体层和第二金属层以及两者之间的介质隔离层形成MIS存储电容，当第一金属层或第二金属层一侧接收负性灰阶电压时，多晶硅半导体层中的P‑Si会聚集形成空穴，当接收正性灰阶电压时，在P‑Si的上层会形成耗尽层，降低MIS存储电容的电容量，从而降低MIS存储电容在正负性灰阶电压时的电容量差值，改善闪烁现象的发生，确保显示效果。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基材以及形成于所述衬底基材上的第一金属层、绝缘层、多晶硅半导体层、介质隔离层以及第二金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的第一金属层为所述阵列基板的TFT的栅极，所述第二金属层包括间隔设置的第三区域和第四区域，所述第三区域和所述第四区域的第二金属层分别为所述TFT的源极和漏极，其中，所述多晶硅半导体层和所述第二区域的第一金属层通过夹持于两者之间的所述绝缘层绝缘重叠，以形成所述阵列基板的MIS存储电容；所述TFT的栅极位于所述多晶硅半导体层的上方，所述阵列基板还包括形成于所述衬底基材上的遮光金属层以及设置于所述遮光金属层和所述多晶硅半导体层之间的缓冲层，所述遮光金属层包括间隔设置的第五区域和第六区域，所述第五区域位于所述第一区域的下方，所述缓冲层形成有第一接触孔，所述多晶硅半导体层通过所述第一接触孔与所述第六区域的遮光金属层连接，所述第二区域的第一金属层与所述第四区域的第二金属层连接，使得所述多晶硅半导体层和所述第二区域的第一金属层以及两者之间的绝缘层形成所述阵列基板的MIS存储电容。