[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法以及显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，以提高薄膜晶体管半导体层的抗酸性，并降低薄膜晶体管的制备成本。薄膜晶体管包括半导体层，所述半导体层包括掺入锡的氧化锆。在本发明的技术方案中，退火处理后的半导体层的抗酸性较强，可以在其表面通过湿法刻蚀形成源漏电极层，相比现有技术，无需设置刻蚀阻挡层，因此，薄膜晶体管的制备工艺得到了简化，生产成本较低；并且，氧化锆中掺入锡后，锡可以调控氧化锆的能带结构，使氧化锆的能级发生变化，进而容易形成载流子，增强了半导体层的导电性；此外，该薄膜晶体管的半导体层不包含铟，因此大大降低了制备成本。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括半导体层，所述半导体层包括掺入锡的氧化锆。