[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括半导体层，所述半导体层包括掺 入锡的氧化锆。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锆中掺入锡 的量为1％～95％。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锆中掺入锡 的量为10％～90％。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锆中掺入锡 的量为50％。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的厚度 为10nm～200nm。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的薄膜 晶体管。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成半导体层，所述半导体层包括掺入锡的氧化锆；

对所述半导体层进行退火处理。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述形成半导体层，具 体包括：

形成掺入锡的氧化锆覆盖层；

采用浓度为5％的盐酸刻蚀所述掺入锡的氧化锆覆盖层，形成半导体层。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述对所述半导体层进 行退火处理，具体包括：

将所述半导体层在200℃～500℃之间进行20min～120min的退火处理。

11.如权利要求9或10所述的制备方法，其特征在于，所述对所述半导 体层进行退火处理，具体包括：

将所述半导体层在350℃的条件下进行30min的退火处理。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锆覆盖层中 掺入锡的量为1％～95％，在此条件下，刻蚀所述掺入锡的氧化锆覆盖层的速率 大于100nm/min，并且在对所述半导体层进行退火处理后，浓度为5％的盐酸 对所述半导体层的破坏刻蚀速率小于50nm/min。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锆覆盖层中 掺入锡的量为10％～90％，在此条件下，刻蚀所述掺入锡的氧化锆覆盖层的速 率大于200nm/min，并且在对所述半导体层进行退火处理后，浓度为5％的盐 酸对所述半导体层的破坏刻蚀速率小于20nm/min。