[发明专利]阵列基板的制作方法及液晶显示面板

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法及液晶显示面板，本发明的阵列基板的制作方法，半导体层上设置有遮光层，该遮光层为一种具有吸光特性的正性光刻胶，该遮光层采用与蚀刻形成半导体层所用的光阻层为同层设计，在半导体层完成蚀刻后，通过对光阻层进行烧光阻得到该尺寸小于半导体层的遮光层，以遮挡光线对半导体层的照射，降低漏电流，然后通过磷离子注入形成半导体层两端的欧姆接触层，该制作方法简单易行，效果良好；本发明的液晶显示面板，半导体层上设有遮光层，该遮光层同时具备蚀刻阻挡和遮光的作用，能够取代现有技术中彩膜基板上的黑色矩阵，遮挡光线对半导体层的照射，降低漏电流，简化面板结构，提升开口率。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一第一衬底基板(10)，在所述第一衬底基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(20)；步骤2、在所述栅极(20)、及第一衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积一层非晶硅层(40’)；步骤3、在所述非晶硅层(40’)上涂布一层光刻胶膜，提供灰阶掩模板(90)，对该层光刻胶膜进行曝光和显影，得到光阻层(50)，所述光阻层(50)包括位于中间的第一光阻层(50)、及厚度小于第一光阻层(51)且位于第一光阻层(51)两侧的第二光阻层(52)；所述光刻胶膜的材料为具有吸光特性的正性光刻胶；步骤4、以所述光阻层(50)为遮蔽层，对所述非晶硅层(40’)进行蚀刻，得到半导体层(40)；步骤5、对所述光阻层(50)进行烧光阻，其中第二光阻层(52)被完全去除掉，第一光阻层(51)的厚度减少，得到遮光层(501)，所得到遮光层(501)的尺寸小于所述半导体层(40)的尺寸；步骤6、以遮光层(501)作为遮蔽层对所述半导体层(40)的两端进行磷离子注入，得到位于所述半导体层(40)两端的欧姆接触区(41)、及位于中间的未经过离子注入的沟道区(42)；步骤7、在所述遮光层(501)、半导体层(40)、及栅极绝缘层(30)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(61)和漏极(62)，所述源极(61)和漏极(62)分别与所述半导体层(40)两端的欧姆接触区(41)相接触；步骤8、在所述源极(61)、漏极(62)、遮光层(501)、及栅极绝缘层(30)上沉积绝缘保护层(70)，并对绝缘保护层(70)进行图案化处理，得到位于所述漏极(62)上方的贯穿绝缘保护层(70)的过孔(71)；步骤9、在所述绝缘保护层(70)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到像素电极(80)，所述像素电极(80)通过过孔(71)与漏极(62)相接触。