[发明专利]阵列基板的制作方法及液晶显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法及液晶显示面板，本发明的阵列基板的制作方法，半导体层上设置有遮光层，该遮光层为一种具有吸光特性的正性光刻胶，该遮光层采用与蚀刻形成半导体层所用的光阻层为同层设计，在半导体层完成蚀刻后，通过对光阻层进行烧光阻得到该尺寸小于半导体层的遮光层，以遮挡光线对半导体层的照射，降低漏电流，然后通过磷离子注入形成半导体层两端的欧姆接触层，该制作方法简单易行，效果良好；本发明的液晶显示面板，半导体层上设有遮光层，该遮光层同时具备蚀刻阻挡和遮光的作用，能够取代现有技术中彩膜基板上的黑色矩阵，遮挡光线对半导体层的照射，降低漏电流，简化面板结构，提升开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及液晶显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT阵列基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT阵列基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。TFT阵列基板上设置有数条扫描线和数条数据线，该数条扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅线相连，当栅线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极。传统的TFT阵列基板上像素单元的结构如图1所示，包括自下而上依次层叠设置的基板100、栅极200、栅极绝缘层300、有源层400、源极610、漏极620、绝缘保护层700、及像素电极800。由于薄膜晶体管的有源层400对光线的照射比较敏感，尤其是非晶硅(a-Si)半导体材料，环境光照射后会导致薄膜晶体管的漏电流大大增加，从而产生串扰、电压闪变等现象，进而影响到显示画面的质量。为了避免半导体层受环境光的照射，通常在液晶显示面板的彩膜基板侧会做一层黑色矩阵(Black Matrix，BM)遮光层，这种方法虽然可以有效防止有源层400透光，但遮光层的存在会降低液晶显示面板的开口率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，将用于蚀刻形成半导体层的光阻层进行烧光阻，得到位于半导体层上的遮光层，制作方法简单。

本发明的目的还在于提供一种液晶显示面板，阵列基板的半导体层上设有遮光层，从而可省去彩膜基板的黑色矩阵层，面板结构简单，开口率高。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极；

步骤2、在所述栅极、及第一衬底基板上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积一层非晶硅层；