[发明专利]一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法有效
申请号: | 201610033268.4 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105679880A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 巩海波;黄涛;张永兴;张永杰;向朝玉;吴芳 | 申请(专利权)人: | 新疆中兴能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 陆菊华 |
地址: | 845350 新疆维吾尔自治区克孜勒苏*** | 国省代码: | 新疆;65 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法,采用射频磁控溅射法生长钒酸铋薄膜,包括如下步骤:S1,将氧化钒和氧化铋的混合粉末压制成靶材胚体,再将靶材胚体置于800-900℃烧结,得到靶材;S2,以导电玻璃为衬底,在氩气和氧气的混合气氛或纯氩气气氛下进行射频磁控溅射生长薄膜;S3,将生长的薄膜置于空气中退火,退火温度为500-600℃。本发明方法可以实现大面积单斜白钨矿型钒酸铋薄膜的制备。用此方法制备的薄膜晶体质量高、薄膜均匀、与衬底的附着性好,在光解水方面有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 光解 大面积 钒酸铋 薄膜 简易 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法,采用射频磁控溅射法生长钒酸铋薄膜,包括如下步骤:S1,将氧化钒和氧化铋的混合粉末压制成靶材胚体,再将靶材胚体置于800‑900℃烧结,得到靶材;S2,以导电玻璃为衬底,在氩气和氧气的混合气氛或者纯氩气气氛下进行射频磁控溅射生长薄膜;S3,将生长的薄膜置于空气中退火,退火温度为500‑600℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新疆中兴能源有限公司,未经新疆中兴能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610033268.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法
- 下一篇:一种自散热光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的