[发明专利]一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法有效

专利信息
申请号: 201610033268.4 申请日: 2016-01-19
公开(公告)号: CN105679880A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 巩海波;黄涛;张永兴;张永杰;向朝玉;吴芳 申请(专利权)人: 新疆中兴能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 陆菊华
地址: 845350 新疆维吾尔自治区克孜勒苏*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法,采用射频磁控溅射法生长钒酸铋薄膜,包括如下步骤:S1,将氧化钒和氧化铋的混合粉末压制成靶材胚体,再将靶材胚体置于800-900℃烧结,得到靶材;S2,以导电玻璃为衬底,在氩气和氧气的混合气氛或纯氩气气氛下进行射频磁控溅射生长薄膜;S3,将生长的薄膜置于空气中退火,退火温度为500-600℃。本发明方法可以实现大面积单斜白钨矿型钒酸铋薄膜的制备。用此方法制备的薄膜晶体质量高、薄膜均匀、与衬底的附着性好,在光解水方面有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 光解 大面积 钒酸铋 薄膜 简易 制备 方法
【主权项】:
一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法,采用射频磁控溅射法生长钒酸铋薄膜,包括如下步骤:S1,将氧化钒和氧化铋的混合粉末压制成靶材胚体,再将靶材胚体置于800‑900℃烧结,得到靶材;S2,以导电玻璃为衬底,在氩气和氧气的混合气氛或者纯氩气气氛下进行射频磁控溅射生长薄膜;S3,将生长的薄膜置于空气中退火,退火温度为500‑600℃。
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